- Моделирование полупроводниковых приборов
- Программное обеспечение для моделирования методом химического осаждения
- Программное обеспечение для роста объемных кристаллов
Программное обеспечение для моделирования методом химического осаждения
CVDSim, программное обеспечение для моделирования эпитаксии, в том числе MOC-гибридной эпитаксии материалов на основе нитридов III группы и МОС-гидридной эпитаксии арсенидов и фосфидов (MOCVD), хлоргидридной эпитаксии нитридов III группы (HVPE), карбида кремния и кремния.
PolySim, программное обеспечение для моделирования осаждения поликристаллического кремния по Сименс-методу.
HEpiGaNS, программное обеспечение для моделирования роста кристаллов GaN методом хлоридно-гидридной эпитаксии.
Программное обеспечение для роста объемных кристаллов
![]() |
ViR
(Virtual Reactor), программное обеспечение для моделирования роста объемных кристаллов SiC, AlN, GaN, других материалов из газовой фазы
Моделирование полупроводниковых приборов
![]() |
- SiLENSe (Simulator of Light Emitters based on Nitride Semiconductors), Симулятор светоизлучающих и лазерных гетероструктур на основе нитридов III группы, оксидов II группы и гибридных структур MgZnO/AlGaN
- SpeCLED (Spreading of Current in Light Emitting Diodes), программа для 3D моделирования растекания тока и распределения тепла в светодиодных чипах
- RATRO (RAy-TRacing SimulatOr of Light Propagation), программа для 3D моделирования излучения света из светодиодных чипов
BESST (Bandgap Engineering Superlattice Simulation Tool), программное обеспечение для моделирования оптоэлектронных приборов на основе сверхрешеток из нитридов металлов III группы.
FETIS (Field Effect Transistor Integrated Simulator), программное обеспечение для моделирования зонных диаграмм и характеристик полевых транзисторов на основе нитридов металлов III группы.
PVcell
- программное обеспечение для моделирования ячеек солнечных элементов на основе полупроводников.
STREEM: Моделирование напряжений в электронных материалах
STREEM AlGaN
– специализированное программное обеспечение для самосогласованного моделирования эволюции напряжений и прогиба,
а также динамики дислокаций при росте и охлаждении (0001) гетероструктур на основе AlGaN методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD).
STREEM InGaN
– специализированное программное обеспечение для моделирования свойств (0001) приборных гетероструктур на основе InGaN,
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), с учетом сегрегации индия и релаксации напряжений.