|
|
 |
16.06.2022 Выпущена программная платформа для мультифизического 3D моделирования - 3D Симулятор 1.4
-
Программная платформа для мультифизического 3D моделирования 3D Симулятор представляет с собой расширяемую программную среду, пригодную
для создания на ее основе прикладного программного обеспечения для моделирования и инженерного проектирования широкого спектра промышленных
процессов в трехмерном построении.
2018.05.22 Выпущен очередной релиз симулятора роста кристаллов CGSim 18.2.
-
Новая версия программы CGSim существенно расширяет возможности для моделирования и
оптимизации роста кристаллов SiC и GaN из раствора.
-
Внесены улучшения в пользовательский интерфейс и исправлены незначительные ошибки.
31.03.2018 Вышла новая версия программы Virtual Reactor 7.8.
Основные изменения по сравнению с версией 7.7:
-
в VR-PVT SiC, VR-PVT AlN, VR-CVD SiC, VR-CVD II-VI и HEPiGaNS добавлена новая опция решения задач термоупругости с возможностью
сопряженного расчета в нескольких прилегающих друг к другу материалах (кристалл + депозит + тигель).
-
в VR-PVT SiC добавлена модель поверхностной химии, описывающая карбидизацию тантала на начальной стадии использования
танталового тигля.
22.02.2018 Выпущена новая версия PolySim и PolySim3D.
Основные изменения:
-
Более понятное взаимодействие и обмен данными между PolySim и PolySim 3D.
Специфические параметры такие как "Boundary layer Deviation", "Average gas velocity along the rods",
"Correction of the gas bulk temperature" теперь рассчитываются автоматически в PolySim 3D.
-
PolySim 3D теперь может сохранять постановку задачи и результаты в XML формат,
который можно открыть в PolySim 1D или Excel/Calc.
-
Сделаны некоторые улучшения алгоритма генерации сетки.
-
Добавлена возможность задавать наклонные струи (под углом к вертикали).
-
Доступен новый параллельный алгоритм генерации полиэдральных ячеек.
-
Вставлено большое количество проверок, которые не дают пользователю вводить
некорректные значения и/или предупреждают его об ошибках.
-
Появилось возможность использования локальной лицензии.
В этом случае не нужен отдельный сервер лицензий.
Вариант сетевой лицензии также остаётся доступен.
-
Различные мелкие улучшения и исправления.
13.12.2017 Выпущен очередной релиз симулятора роста кристаллов CGSim 18.1.
Среди новых возможностей, предоставляемых программным продуктом, можно выделить новую химическую модель для роста кристаллов кремния,
учет поверхностной кинетики в химической модели предыдущего поколения и возможность пользовательской настройки реакций на горячих поверхностях.
В химической модели в росте кристаллов карбида кремния из раствора также предусмотрен учет поверхностной кинетики на границе расплава и затравки,
а также расплава и графитового тигля.
Повышена стабильность работы расчетной части программного продукта и графического интерфейса пользователя.
В модуле течения пользователям предлагается новый графический интерфейс; кроме этого, появилась возможность использовать потоки концентраций,
рассчитанные базовым модулем, в граничных условиях.
30.10.2017 Вышла новая версия программы Virtual Reactor 7.7.
Основные изменения по сравнению с предыдущей версией:
-
В VR-CVD SiC добавлена модель расчета изгиба подложки за счет неоднородности поля температуры и рассогласования параметров решетки
подложки и эпитаксиального слоя, вызываемого различием в типе и уровне легирования.
-
В VR-CVD SiC добавлена модель роста карбида кремния с использованием метилтрихлорсилана в качестве прекурсора
05.09.2017 Вышла версия SiLENSe 5.12
Новые опции:
-
В режим расчета «Series Calculation for SpeCLED» добавлена автоматическая генерация отдельного файла для импорта в SpeCLED;
-
Устранено несколько ошибок в отношении полуполярной ориентации.
Детали см в Примечаниях к выпуску.
30.06.2017 Вышла новая версия программы HEpiGaNS 7.7.
Основные изменения по сравнению с версией 7.6:
Добавлены модели эпитаксиального роста двойных и тройных соединений арсенидов и фосфидов третьей группы.
13.03.2017 Вышла новая версия программы Virtual Reactor 7.6.
Основные изменения по сравнению с версией 7.5:
-
Представлена новая редакция Virtual Reactor:
VR-CVD Si для моделирования эпитаксиального роста кремния методом химического газофазного осаждения (CVD)
-
В HEpiGaNS добавлена модель эпитаксиального роста кристаллов оксида галлия β-Ga2O3 методом МОС-гидридной эпитаксии (MOVPE)
-
В VR-CVD SiC добавлены модели легирования азотом и нуклеации кремниевых частиц, учитывающие наличие хлор-содержащих компонент в газовой смеси
-
В VR-PVT SiC добавлена возможность анализа формирования различных политипов карбида кремния при росте объемных кристаллов сублимационным методом
-
В VR-PVT SiC включена новая модель оценки полного давления внутри графитового тигля при росте объемных кристаллов карбида кремния
04.07.2016 вышла версия SiLENSe 5.11
Новые опции:
-
Уточнено вычисление интегральных характеристик (таких как IQE, плотность тока утечки и др.),
в таблицу добавлен расчет 2D концентрации носителей в активной области. Новая версия SiLENSe позволяет экспортировать в SpeCLED
дополнительные данные для анализа боковой диффузии носителей и поверхностной рекомбинации на боковых стенках чипа
(соответствующая версия появится в скором будущем в SpeCLED);
-
Внесены другие небольшие усовершенствования.
Детали см в Примечаниях к выпуску.
22.06.2016 вышла версия CGSim 16.1, Симулятор роста кристаллов.
Новые опции:
-
Моделирование образования, эволюции и кластеризации собственных дефектов, включая формирование преципитатов кислорода,
в стационарном и нестационарном приближении, в том числе расчеты с переменной скоростью вытягивания кристалла;
-
Ускорены расчёты лучистого теплопереноса в нестационарном приближении;
-
Расширена модель транспорта примесей при росте кристаллов кремния за счет добавления
кинетических ограничений на свободной поверхности расплава;
-
Новый алгоритм автоматической генерации позиций кристалла в процессе роста в установке
Чохральского существенно сокращает время расчета;
-
Значительно ускорена загрузка больших файлов в программу для визуализации результатов;
-
Улучшена стабильность работы солвера программы и солвера пользовательского интерфейса.
01.06.2016 вышла версия Virtual Reactor 7.5
Ключевые модификации программы включают:
-
Добавление модели роста объемных кристаллов β-Ga2O3 методом HVPE,
добавление модели паразитного осаждения при росте кристаллов ZnS и ZnSe методом CVD;
-
Уточнение модели автоматического выделения блоков поликристаллического депозита в VR-PVT SiC,
VR-PVT AlN, VR-CVD SiC и HEpiGaNS.
15.01.2016 вышла версия SiLENSe 5.10
Новые опции:
-
Расчеты в лазерной версии значительно улучшены за счет добавления скорости рекомбинации в дрейфо-диффузионную модель;
-
Улучшена сходимость PL-вычислений.
13.11.2015 вышла версия STREEM-AlGaN Edition 1.2
Основное изменение состоит в улучшении моделирования нуклеации дислокаций.
STREEM AlGaN – специализированное программное обеспечение для самосогласованного моделирования
эволюции напряжений и прогиба, а также динамики дислокаций при росте и охлаждении (0001)
гетероструктур на основе AlGaN методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD)
05.11.2015 05.11.2015 вышла версия STREEM-InGaN Edition 2.0
Основные изменения в версии 2.0:
- слои AlInGaN теперь можно рассматривать в активной области;
- добавлена модель аннигиляции проникающих дислокаций.
STREEM InGaN – специализированное программное обеспечение для моделирования свойств
приборных гетероструктур на основе нитридов III Группы, выращиваемых методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD),
с учетом поверхностной сегрегации индия и релаксации напряжений.
Программное обеспечение предназначено для понимания и контроля свойств выращиваемых
структур путем варьирования параметров процесса.
|
|
|
