STR Group

Modeling of Crystal Growth and Devices

CVD OF III-VS
III/V MOCVD

Консалтинг > CVD of III-Vs
Консалтинг в области химического осаждения из газовой фазы соединений типа AIIIBV включает моделирование металлорганической газофазной эпитаксии (MOVPE), молекулярно-пучковой эпитаксии (МВЕ) полупроводников типа AIIIBV и нитридов III группы, а также хлоридной-гидридной газофазной эпитаксии (HVPE) нитридов III группы.
Консалтинг проводится с помощью моделей химических и физических явлений, лежащих в основе газофазной эпитаксии, а также специально разработанных вспомогательных программ.
Численное моделирование охватывает весь спектр явлений, характерных для процесса осаждения: от динамики течения в реакторе до кинетики адсорбированных атомов на поверхности роста.
© STR 2020. All rights reserved.